ZnGeP2 - туенган инфракызыл сызыксыз оптика
Җитештермә тасвирламасы
Бу уникаль үзенчәлекләр аркасында, ул сызыксыз оптик кушымталар өчен иң перспектив материалларның берсе буларак билгеле.ZnGeP2 оптик параметрик осылу (OPO) технологиясе ярдәмендә 3-5 мм өзлексез көйләнә торган лазер ясый ала.3-5 мм атмосфера тапшыру тәрәзәсендә эшләүче лазерлар инфракызыл счетчик чарасы, химик мониторинг, медицина аппараты һәм дистанцион сенсор кебек күп кушымталар өчен бик мөһим.
Без югары оптик сыйфатлы ZnGeP2 тәкъдим итә алабыз, бик түбән үзләштерү коэффициенты α <0.05 см-1 (насос дулкын озынлыкларында 2,0-2,1 мм), бу OPO яки OPA процесслары аша югары эффективлык белән урта инфракызыл көйләнә торган лазер ясау өчен кулланыла ала.
Безнең потенциал
ZnGeP2 поликристаллын синтезлау өчен динамик температура кыры технологиясе булдырылды һәм кулланылды.Бу технология ярдәмендә 500 г артык чисталык ZnGeP2 зур бөртекле поликристалл бер этапта синтезланган.
Горизонталь градиент туңдыру ысулы юнәлешле муен технологиясе белән берләштерелгән (ул дислокация тыгызлыгын эффектив рәвештә киметә ала) югары сыйфатлы ZnGeP2 үсешендә уңышлы кулланылды.
Дөньядагы иң зур диаметрлы (Φ55 мм) килограммлы югары сыйфатлы ZnGeP2 Вертикаль Градиент Фриз ысулы белән уңышлы үстерелде.
Кристалл җайланмаларның өслеге тупаслыгы һәм яссылыгы, тиешенчә 5Å һәм 1/8λ, безнең тозакны яхшы эшкәртү технологиясе белән алынган.
Кристалл җайланмаларның соңгы почмак тайпылышы төгәл ориентация һәм төгәл кисү техникасын куллану аркасында 0,1 градустан ким.
Яхшы җитештерүчән җайланмалар кристаллларның югары сыйфаты һәм кристалл эшкәртү технологиясе аркасында ирешелде (3-5μм урта инфракызыл көйләнә торган лазер, 2μм яктылык белән суыртылганда, конверсия эффективлыгы 56% тан зуррак булган. чыганак).
Безнең тикшеренү төркеме, өзлексез эзләнүләр һәм техник инновацияләр ярдәмендә, югары чисталыклы ZnGeP2 поликристаллының синтез технологиясен, зур күләмле һәм югары сыйфатлы ZnGeP2 үсеш технологиясен һәм кристалл ориентациясен һәм югары төгәл эшкәртү технологиясен уңышлы үзләштерде.ZnGeP2 җайланмаларын һәм масса масштабында үскән кристаллларны югары бердәмлек, түбән үзләштерү коэффициенты, яхшы тотрыклылык һәм югары конверсия эффективлыгы белән тәэмин итә ала.Шул ук вакытта, без кристалл җитештерүчәнлекне сынау платформасының тулы комплектын булдырдык, бу безгә клиентлар өчен кристалл җитештерүне сынау хезмәтләрен күрсәтә ала.
Кушымталар
CO Икенче, өченче һәм дүртенче гармоник буын CO2-лазер
2.0 2,0 мм дулкын озынлыгында насос белән оптик параметрик буын
CO СО-лазерның икенче гармоник буыны
Sub Субмиллиметранжда 70,0 ммнан 1000 ммга кадәр коерентлы нурланыш җитештерү
CO CO2- һәм CO-лазер нурланышының һәм башка лазерларның берләштерелгән ешлыкларын булдыру кристалл ачыклык өлкәсендә эшли.
Төп үзенчәлекләр
| Химик | ZnGeP2 |
| Бәллүр симметрия һәм класс | тетрагональ, -42м |
| Такталар параметрлары | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Тыгызлыгы | 4.162 г / см3 |
| Мох каты | 5.5 |
| Оптик класс | Позитив униаксиаль |
| Файдалы тапшыру диапазоны | 2,0 ум - 10,0 см |
| Rылылык үткәрүчәнлеге @ T = 293 К. | 35 Вт / м ∙ К (⊥c) 36 Вт / м ∙ К (∥ с) |
| Rылылык киңәюе @ T = 293 К - 573 К. | 17,5 х 106 К-1 (⊥c) 15,9 х 106 К-1 (∥ с) |
Техник параметрлар
| Диаметр толерантлыгы | + 0 / -0.1 мм |
| Озынлык толерантлыгы | ± 0,1 мм |
| Ориентация толерантлыгы | <30 аркмин |
| Faceир өсте сыйфаты | 20-10 SD |
| Тигезлек | <λ/4@632.8 nm |
| Параллелизм | <30 арсек |
| Перпендикулярлык | <5 аркмин |
| Чамфер | <0,1 мм х 45 ° |
| Ачыклык диапазоны | 0,75 - 12,0? М. |
| Сызыксыз коэффициентлар | d36 = 68.9 pm / V (10,6μм) d36 = 75.0 pm / V (9,6 мм) |
| Зыян бусагасы | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
