-
Лазерны үзгәртү һәм тизлекне үзгәртү өчен фотодетектор
InGaAs материалының спектраль диапазоны 900-1700нм, һәм тапкырлау тавышы германий материалыннан түбән. Бу, гадәттә, гетероструктур диодлар өчен тапкырлау өлкәсе буларак кулланыла. Материал югары тизлекле оптик җепсел элемтәләре өчен яраклы, һәм коммерция продуктлары 10Гбит / с яки аннан да югарырак тизлеккә иреште.
Продукция
Si & InGaAs, PIN & APD, Дулкын озынлыгы: 400-1100нм, 900-1700нм.