Nd: YAG + YAG 一 Күп сегментлы бәйләнгән лазер кристалл

Бәйләү процессыNd: YAGһәмЯГкристаллар лазер кристалларын әзерләүдә мөһим адым.

Беренчедән, алюминий оксиды һәм йтрий оксиды кебек югары чисталыклы оксид чималы, шулай ук ​​тиешле күләмдә допинг ионнары (неодимий ионнары) сайлана һәм тигез кушыла. Аннары, катнашма сыек хәлдә эретү өчен югары температурада җылытыла. Бу процесста чималның чисталыгын һәм химик составын тәэмин итү өчен температура һәм атмосфера катгый контрольдә тотылырга тиеш.

Аннары, эретелгән чимал әкренләп суытыла һәм кристалл кристаллга кристалл үсеш технологиясе ярдәмендә кертелә. Бу процесста югары сыйфатлы кристалллар алу өчен кристаллның үсеш темплары һәм температура градиенты контрольдә тотылырга тиеш. ӨченNd: YAGкристалллар, шулай ук ​​неодимий ионнарының бердәм бүленүен һәм тиешле допинг концентрациясен тәэмин итү зарур.

Аннары кристалл формада һәм оптик өслектә кирәкле кристалл формасын һәм оптик үзлекләрен алу өчен эшкәртелә. Бу процесста кисү, бизәү һәм башка процесслар кристаллның өслек сыйфаты һәм оптик үзлекләренең дизайн таләпләренә туры килүен тәэмин итү өчен кирәк.

Аерым алганда, өслек формасы бәйләү өслегенең сыйфатына тулысынча тәэсир итәчәк. Барысы да беткәч, бәйләнгән кристаллларны кайнар бәйләүче мичкә урнаштырырга кирәк. 1300 high югары температура аша кристаллның ике очындагы молекулалар бер-берсенә үтеп керә, бәйләнеш өслеген ныгыта.